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綜述
快恢復二極管模塊（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管模塊的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管模塊的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。
亮點
快恢復二極管模塊工作原理
快恢復二極管模塊的內部結構是在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了TRR值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。
快恢復二極管模塊的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管模塊的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管模塊大多采用TO-220封裝形式。
加負電壓（或零偏壓）時，快恢復二極管模塊等效為電容+電阻；加正電壓時，快恢復二極管模塊等效為小電阻。用改變結構尺寸及選擇快恢復二極管模塊參數的方法，使短路的階梯脊波導的反射相位（基準相位）與加正電壓的PIN管控制的短路波導的反射相位相同。還要求加負電壓（或0偏置）的快恢復二極管模塊控制的短路波導的反射相位與標準相位相反（-164°～+164°之間即可）。
快恢復二極管模塊的內部結構是在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了TRR值，還降低了瞬態正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。
快恢復二極管模塊的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極管模塊的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復及超快恢復二極管模塊大多采用TO-220封裝形式。
加負電壓（或零偏壓）時，快恢復二極管模塊等效為電容+電阻；加正電壓時，快恢復二極管模塊等效為小電阻。用改變結構尺寸及選擇快恢復二極管模塊參數的方法，使短路的階梯脊波導的反射相位（基準相位）與加正電壓的PIN管控制的短路波導的反射相位相同。還要求加負電壓（或0偏置）的快恢復二極管模塊控制的短路波導的反射相位與標準相位相反（-164°～+164°之間即可）。
詳情
快恢復二極管模塊作用（在直流電路中）
快恢復二極管模塊，具有反向阻斷時高耐壓低漏電流，正向低通態電阻大電流的特點。由于作為開關使用，因此一般需要其開關速度較快。另外，適當選擇續流二極管的特性，尤其是反向恢復特性，如反向恢復時間和反向恢復軟度，能夠顯著減少開關器件、二極管和其他電路元件的功耗，并減小由續流二極管引起的電壓尖峰、電磁干擾，從而盡量減少甚至去掉吸收電路。
一般來說，快恢復二極管模塊的正向壓降小，0.4V左右，而普通的硅管在0.6V左右，為了降低損耗才用快恢復二極管模塊。
如果快恢復二極管模塊反向擊穿電壓是40V，反向擊穿之后能夠快速恢復；如果快恢復二極管模塊反向擊穿電壓1000V，則不存在反向擊穿的問題，所以這點在直流電路中是可以不用考慮。
快恢復二極管模塊，具有反向阻斷時高耐壓低漏電流，正向低通態電阻大電流的特點。由于作為開關使用，因此一般需要其開關速度較快。另外，適當選擇續流二極管的特性，尤其是反向恢復特性，如反向恢復時間和反向恢復軟度，能夠顯著減少開關器件、二極管和其他電路元件的功耗，并減小由續流二極管引起的電壓尖峰、電磁干擾，從而盡量減少甚至去掉吸收電路。
一般來說，快恢復二極管模塊的正向壓降小，0.4V左右，而普通的硅管在0.6V左右，為了降低損耗才用快恢復二極管模塊。
如果快恢復二極管模塊反向擊穿電壓是40V，反向擊穿之后能夠快速恢復；如果快恢復二極管模塊反向擊穿電壓1000V，則不存在反向擊穿的問題，所以這點在直流電路中是可以不用考慮。
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