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綜述
快恢復二極管模塊的內部構造與一般PN結二極管模塊不一樣，它屬于PIN結型二極管模塊，即在P型硅材料與N型硅材料之間添加了基區I，組成PIN硅片。

快恢復二極管模塊 子類別

詳情
快速恢復二極管模塊的基本工作原理

因為PD的主要有源區是勢壘區，所以展寬勢壘區便可提升靈敏度。p-i-n結快恢復二極管模塊實際上也就是人為地把p-n結的勢壘區寬度進行擴展，即選用較寬的本征半導體（i）層來替代勢壘區，而轉變成了p-i-n結。


圖是反向恢復電流的波形圖。圖中IF為正向電流，IRM為最大反向恢復電流，Irr為反向恢復電流，通常規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t＞t0時，由于整流管上的正向電壓突然變成反向電壓，因此，正向電流迅速減小，在t=t1時刻，I=0。然后整流管上的反向電流IR逐漸增大；在t=t2時刻達到最大反向恢復電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并且在t=t3時刻達到規定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似之處。由t1到t3的時間間隔即為反向恢復時間trr。圖是反向恢復電流的波形圖。圖中IF為正方向電流，IRM為最大反向恢復電流，Irr為反向恢復電流，一般規定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正方向電流I=IF。當t＞t0時，因為整流管上的正方向電壓一下子轉變成反方向電壓，所以，正方向電流快速減小，在t=t1時刻，I=0。隨后整流管上的反方向電流IR慢慢增加；在t=t2時到達最大反向恢復電流IRM值。之后受正方向電壓的作用，反方向電流慢慢減小，并且在t=t3時到達規定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似點。由t1到t3的間隔時間即是反向恢復時長trr。

一般而言，快恢復二極管模塊的正方向壓降小，0.4V左右，而一般的硅管在0.6V左右，為了降低損耗才用快恢復二極管模塊。

假如快恢復二極管模塊反方向擊穿電壓是40V，反方向擊穿以后可以快速恢復；假如快恢復二極管模塊反方向擊穿電壓1000V，則不會有反方向擊穿的問題，所以這點在直流電路中是可以無需考慮。


傳承電子是一家快恢復二極管模塊生產廠家，以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。