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  3. 可控硅晶閘管模塊
綜述
晶閘管廠家傳承電子講解晶閘管模塊(VT)又被稱為可控硅(SCR)模塊。它是一類功率大的的半導體開關元器件，其品種許多，有通用型、雙向型、可關斷型、快速型和光控型等。通用型晶閘管模塊。它的外型有螺栓式、金屬殼封裝和塑封式等多種。

它們都是3個電極，即陽極A、陰極K和控制極G。螺栓式晶閘管模塊的螺栓端為陽極，另一頭引線較粗的為陰極，細的為控制極G。用時把陽極扭緊在散熱器上，通常在中小功率線路中使用這種構造散熱。壓模塑料封裝式晶閘管模塊的陰極、陽極和控制極按順序排列。用時將螺釘穿過管子的散熱片(陽極)小孔與外加散熱器擰在一起，通常在小功率線路中使用這種構造散熱。以上散熱片均帶電，應留意與儀器設備柜絕緣。

可控硅晶閘管模塊 子類別

亮點
如何分辨晶閘管模塊的3個極

分辨晶閘管模塊3個極的方式非常簡單，依據P-N結的工作原理，只需用萬用表測量一下3個極間的電阻值就可以。陽極與陰極間的正向和反方向電阻值在幾百千歐之上，陽極和控制極間的正向和反方向電阻值在幾百千歐之上（它們間有兩個P-N結，并且方向相反，所以陽極和控制極正反向都不通）。

控制極與陰極間是一個P-N結，所以它的正向電阻值大概在幾歐-幾百歐的區域，反方向電阻值比正向電阻值要大。

但是控制極二極管特性是不太理想的，反方向并非完全呈阻斷狀況的，可以有比較大的電流通過，所以，有時測出控制極反方向電阻值比較小，并不能說明控制極特性不好。此外，在檢測控制極正反向電阻值時，數字萬用表應放于R*10或R*1擋，避免電壓過高控制極反方向擊穿。

若測出元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反方向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。
詳情
晶閘管模塊是PNPN四層三端元器件，共有3個PN結。解析原理時，可以把它當作是由1個PNP管和1個NPN管所組成，其等效電路圖解如圖1（a）所示，圖1（b）為可控硅模塊的電路符號。
圖1晶閘管模塊等效電路圖解圖

晶閘管模塊的工作原理是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結，可以把它中間的NP劃分兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管。

（1）當晶閘管模塊承擔正向陽極工作電壓時，為使可控硅模塊導通，必須使承擔反向工作電壓的PN結J2失去阻擋作用。每一個晶體管的集電極電流同時便是另1個晶體管的基極電流。所以是2個互相復合的晶體管線路，當有足夠的門極電流Ig流入時，便會產生明顯的正反饋，引發兩晶體管飽和導通。

設PNP管和NPN管的集電極電流主要為IC1和IC2，發射極電流相對為Ia和Ik，電流放大系數相對為α1＝IC1／Ia和α2＝IC2／Ik，設流過J2結的反相漏電流為ICO，晶閘管模塊的陽極電流相當于兩管的集電極電流和漏電流的之和：

Ia＝IC1＋IC2＋ICO＝α1Ia＋α2Ik＋ICO（1）

若門極電流為Ig，則晶閘管模塊陰極電流為：Ik＝Ia＋Ig。

所以，可以得出晶閘管模塊陽極電流為：
（2）硅PNP管和硅NPN管相對的電流量放大系數α1和α2隨其發射極電流量的改變而急劇改變。當晶閘管模塊承擔正向陽極電壓，而門極未接受電壓的情況下，式（1）中Ig＝0，（α1＋α2）很小，故晶閘管模塊的陽極電流量Ia≈ICO，晶閘管處在正向阻斷模式；當晶閘管在正向門極電壓下，從門極G流入電流量Ig，因為足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提升放大系數α2，產生足夠大的集電極電流量IC2流過PNP管的發射結，并提升了PNP管的電流量放大系數α1，產生更大的集電極電流量IC1流經NPN管的發射結，這種強烈的正反饋過程快速進行。

當α1和α2隨發射極電流量提升而導致（α1＋α2）≈1時，式（1）中的分母1－（α1＋α2）≈0，因此提升了可控硅模塊的陽極電流量Ia。這時，流過可控硅模塊的電流量完全由主電路的電壓和回路電阻決定，可控硅模塊已處在正向導通模式?？煽毓枘K導通后，式（1）中1－（α1＋α2）≈0，即便 這時門極電流量Ig＝0，可控硅模塊仍能維持原先的陽極電流量Ia而繼續導通，門極已失去作用。

在晶閘管導通后，要是不斷地降低電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流量Ia降低到維持電流量IH之下時，因為α1和α2快速下降，可控硅模塊恢復到阻斷模式。 

以上就是晶閘管工廠廠家傳承電子供應的可控硅晶閘管產品介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊工廠，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。