“以小控大”的可控硅模塊

2021-05-12

第一步，我們可以把從陰極往上數的一、二、三層看面是1只NPN型號晶體管，而二、三四層構成另外一只PNP型晶體管。當中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極間加之1個正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C間（相當BG1的基一射間）鍵入1個正的觸發信號，BG1將造成基極電流Ib1，經擴大，BG1將有個擴大了β1倍的集電極電流IC1。


由于BG1集電極與BG2基極相接，IC1更是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）擴大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極擴大。這般循環擴大，

直至BG1、BG2徹底導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅模塊來說，觸發信號加入控制極，可控硅模塊立即導通。導通的時間主要決定于可控硅模塊的性能。

可控硅模塊一旦觸發導通后，因為循環反饋的因素，注入BG1基極的電流量已不只是原始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流量（β1*β2*Ib1）這個電流量遠高于Ib1，得以維持BG1的持續導通。這時觸發信號即便 消失，可控硅模塊仍維持導通情況只能切斷電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流量低于維持導通的最小值時，可控硅模塊方可斷開。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2因為受到反方向電壓作用將處于截止情況。

這時，即便 輸入觸發信號，可控硅模塊也不可以工作。反過來，Ea接成正方向，而觸動發信號是負的，可控硅模塊也不可以導通。另外，如果不加觸發信號，而正方向陽極電壓大到超出某種值時，可控硅模塊也會導通，但已屬于非正常工作情況了。

可控硅模塊這類通過觸發信號（小的觸發電流量）來操控導通（可控硅模塊中通過大電流量）的可控特性，正是它差別于普通硅整流二極管的主要特點。

以上就是傳承電子對“以小控大”的可控硅模塊的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

上一篇：igbt模塊過電流毀壞解決對策

下一篇：igbt模塊各中原因受損解決方法介紹

關注微信公眾號，了解更多資訊