igbt模塊過電流毀壞解決對策

2021-05-12

為了避免igbt模塊出現(xiàn)擎住效應而毀壞，線路設計中應確保igbt模塊的最大的工作電流應不超過igbt模塊的IDM值，此外注意可適度增加驅動電阻RG的方式延長斷開時間，減小igbt模塊的di/dt。驅動電壓的大小也會影響igbt模塊的擎住效應，驅動電壓低，承擔過電流時間長，igbt模塊必需加負偏壓，igbt模塊生產廠家通常建議加-5V左右的反偏電壓。在有負偏壓情況下，驅動正電壓在10—15V間，漏極電流可在5～10μs內超出額定電流的4～10倍，因此驅動igbt模塊必需設計負偏壓。

因為UPS負載沖擊特性各有不同，且供電的裝備很有可能出現(xiàn)電源故障短路，因此在UPS設計中實行限流措施進行igbt模塊的電流限制也是必需的，可考慮采用igbt模塊廠家提供的驅動厚膜線路。如一些廠家的EXB841、EXB840，M57959AL，57962CL，它們對igbt模塊的集電極電壓進行檢驗，倘若igbt模塊出現(xiàn)過電流，內部線路進行關閉驅動。

這種方式有時候依然無法保護igbt模塊，傳承電子建議的短路保護方式是：先檢驗通態(tài)壓降Vce，倘若Vce超出設定值，保護線路立刻將驅動電壓降為8V，因此igbt模塊由飽和狀態(tài)轉到放大區(qū)，通態(tài)電阻增加，短路線路減削，經(jīng)過4us連續(xù)檢驗通態(tài)壓降Vce，倘若正常，將驅動電壓恢復原狀，倘若未恢復，將驅動關閉，使集電極電流減為零。

如此實現(xiàn)短路電流軟斷開，可以避免快速斷開導致的過大di/dt毀壞igbt模塊，如圖6，當出現(xiàn)過電流，10us內將igbt模塊的啟動電壓減為9V，配合M57160AL驅動厚膜線路可以快速軟斷開保護igbt模塊。
圖5：igbt模塊等效電路圖
圖6F系列igbt模塊的RCT線路

以上就是傳承電子對igbt模塊過電流毀壞解決對策的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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