高壓igbt模塊變頻器介紹

2021-04-06

電力電子技術、微電子技術與控制理論的相結合，有效地推動了交流變頻調速技術的發展。

近幾年來，具備驅動電路和保護作用的智能igbt模塊的應用領域使得變頻器構造更為緊湊且可靠。與其它電力電子元件對比，igbt模塊具備可靠性高、驅動簡單、保護容易、無需緩沖線路和開關頻率高等優勢。

鑒于此，開發高電壓、大電流量、頻率高的高壓igbt模塊并將其應用領域到變頻調速器中以取得輸出電壓等級更高的設備變成人們關注的重點。中壓變頻器的開發與電力電子元件如高壓igbt模塊、GTO、IGCT等元件研制水準和使用水準息息相關，伴隨著高電壓、大電流量igbt模塊的推出，給中壓變頻器注入了新的活力。

電力電子元件的發展經歷了晶閘管模塊(SCR)、可關斷晶閘管模塊(GTO)、大功率晶體管(GTR)、絕緣柵晶體管(igbt模塊)等階段，近年來，常壓變頻器多數選用igbt模塊構成逆變電路，中壓變頻器中因為線路構造的差異，交—直—交變頻器中逆變電路多數由高壓igbt模塊、GTO、IGCT等構成，單元串聯多電平變頻器和中—低—中變頻器型多選用低壓igbt模塊構成。

4MV全系列中壓變頻器運用案例

中壓變頻器的評判標準涉及使用范圍、設計思路、如電壓源或電流源型、轉矩脈動、速率調控、諧波與噪音，效率、功率因數及電磁兼容性等。MV全系列變頻器借助用于提升的空間矢量和脈寬調制方式可得到較高的動態特性，轉矩脈動2％，并具備很好的調控特性；借助對各類環境下的諧波電流實現快速傅里葉分析，可給予典型諧波電流頻譜；MV由于用于高壓igbt模塊無緩沖器線路，功率因數高于096，由于用于有源前端技術，功率因數可按照需要調整(滯后或超前)，并且提升 了電磁兼容性，達到了抗干擾的需求。
圖3MVAFE結構框圖

以上就是傳承電子高壓igbt模塊變頻器介紹的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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