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晶閘管模塊陽(yáng)極A與陰極K之間的電壓與晶閘管模塊陽(yáng)極電流量之間關(guān)系稱為晶閘管模塊伏安特點(diǎn)，如圖2所所示。正向特點(diǎn)位于第一象限，反向特點(diǎn)位于第三象限。圖2晶閘管模塊伏安特點(diǎn)參數(shù)示意圖
（1）反向特點(diǎn)

當(dāng)門極G開(kāi)路，陽(yáng)極加反向電壓時(shí)（見(jiàn)圖3），J2結(jié)正偏，但J1、J2結(jié)反偏。這時(shí)只有流過(guò)很小的反向飽和電流，當(dāng)電壓進(jìn)一步提升到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后，并且J3結(jié)也擊穿，電流量快速提升，如圖2的特點(diǎn)曲線OR段開(kāi)始彎曲，彎曲處的電壓URO稱為“反向轉(zhuǎn)折電壓”。之后，晶閘管模塊會(huì)造成永久性反向擊穿。

（2）正向特性

當(dāng)門極G開(kāi)路，陽(yáng)極A添加正向工作電壓時(shí)（見(jiàn)圖4），J1、J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與一般PN結(jié)的反向特性類似，也只能夠流過(guò)很小電流量，這叫正向阻斷模式，當(dāng)工作電壓增加，如圖2的特性曲線OA段逐漸彎曲，彎曲處的工作電壓UBO稱作“正向轉(zhuǎn)折工作電壓”。

因?yàn)楣ぷ麟妷荷仙絁2結(jié)的雪崩擊穿工作電壓后，J2結(jié)造成雪崩倍增作用，在結(jié)區(qū)造成很多的電子和空穴，電子進(jìn)到N1區(qū)，空穴進(jìn)到P2區(qū)。進(jìn)到N1區(qū)的電子與由P1區(qū)利用J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合。同樣的，進(jìn)到P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)利用J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合，雪崩擊穿后，進(jìn)到N1區(qū)的電子與進(jìn)到P2區(qū)的空穴各自無(wú)法全部復(fù)合掉。

如此，在N1區(qū)便有電子積累，在P2區(qū)便有空穴積累，最后使P2區(qū)的電位上升，N1區(qū)的電位降低，J2結(jié)變成正偏，只需要電流量稍有增加，工作電壓便快速降低，產(chǎn)生所謂負(fù)阻特性，見(jiàn)圖2中的虛線AB段。此時(shí)J1、J2、J33個(gè)結(jié)均處在正偏，晶閘管模塊便進(jìn)到正向?qū)щ娔Ｊ健☉B(tài)，此時(shí)，它的特性與一般的PN結(jié)正向特性類似，如圖2的BC段。

（3）觸發(fā)導(dǎo)通

在門極G上添加正向工作電壓時(shí)（如圖5所示），因J3正偏，P2區(qū)的空穴進(jìn)到N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)到P2區(qū)，造成觸發(fā)電流量IGT。在晶閘管模塊的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔茫ㄈ鐖D2）的根本上，添加IGT的作用，使晶閘管模塊提前導(dǎo)通，引起圖2中的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。
圖5陽(yáng)極和門極均加正向工作電壓

以上就是傳承電子晶閘管模塊的伏安特點(diǎn)的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。