可控硅模塊的門極參數介紹

2021-03-29

①、門極觸發電流：為了使可控硅模塊穩定觸發，觸發電流Igt選用25度時max值的α倍，α為門極觸發電流—結溫特性系數，取特性曲線中最低操作溫度時的系數。若對元器件工作環境溫度無特別需求，一般α取大于1.5倍就行。


②、門極壓降：可以選用Vgt25度時max值的β倍。β為門極觸發電壓—結溫特性系數，查數據信息手冊可知，取特性曲線中最低操作溫度時的系數。若對元器件工作環境溫度無特別需求，一般β取1~1.2倍就行。

觸發電阻Rg=（Vcc-Vgt）/Igt

③、觸發脈沖寬度：為了更好地導通閘流管（或雙向可控硅模塊），除了要門極電流≧IGT，還需使負載電流達到≧IL（擎住電流），并按也許遇上的最低溫度考量。

為此，可用25度下穩定觸發可控硅模塊的脈沖寬度Tgw的2倍之上。

在電子噪音充斥的環境中，若影響電壓超出觸發電壓VGT，并有足夠的門極電流，便會產生假觸發，造成雙向可控硅模塊轉換。第一條防線是減輕臨近空間的雜波。

門極接線越短越好，并保障門極驅動電路的公用返回線直接連接到TI管腳（對閘流管是陰極）。若門極接線是硬線，可采用螺旋雙線，或干脆用屏蔽線，這些必要的措施都是為了更好地減輕雜波的吸收。為增加對電子噪音的抵抗力，可在門極和T1之間串入1kΩ或更小的電阻，以此減輕門極的靈敏度。

假如已采用高頻旁路電容，建議在該電容和門極間加入電阻，以減輕通過門極的電容電流的峰值，減輕雙向可控硅模塊門極區域為過電流燒毀的可能。

結溫Tj的控制：想要長期性穩定運行，應確保Rthj-a非常低，保持Tj不超過80%Tjmax,其值相對于很有可能的最高環境溫度。

【推薦閱讀】
可控硅模塊的基本參數介紹
以上就是傳承電子設計師"可控硅模塊的門極參數介紹"介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

上一篇：可控硅模塊的基本參數介紹

下一篇：雙向可控硅組裝有哪些方式

關注微信公眾號，了解更多資訊