可控硅模塊的基本參數(shù)介紹

2021-03-29

dICOM/dt(轉(zhuǎn)換電流量變化率)，導(dǎo)致高dICOM/dt值的原因是:高負(fù)載電流量、高電網(wǎng)頻率（比如正弦波電流量）或者非正弦波負(fù)載電流量,這兩者導(dǎo)致的轉(zhuǎn)換電流量變化率超過最大的規(guī)定值，使雙向可控硅甚至于不能支撐50Hz波形由零上升時(shí)很小的dV/dt，添加一幾mH的電感和負(fù)載串連，可以限制dICOM/dt。
Hi-Com雙向可控硅模塊可以徹底解決高dv/dt及di/dt造成的問題，它和傳統(tǒng)的雙向可控硅模塊的內(nèi)部構(gòu)造有區(qū)別。區(qū)別其一是內(nèi)部的2個(gè)“閘流管”分隔得更佳，減輕了互相的影響。這帶來以下益處：

①高dVCOM/dt。

能操控電抗性負(fù)載，在眾多場(chǎng)所下無需緩沖線路，保障無故障轉(zhuǎn)換。這減輕了元器件數(shù)量、底板大小和成本費(fèi)，還免去了緩沖線路的功率耗散。

②高dICOM/dt。

轉(zhuǎn)換高頻電流或非正弦波電流的特性大大改進(jìn)，而無需在負(fù)載上串連電感器，以限制dICOM/dt。

③高dvD/dt（斷開模式下電壓變化率）。

雙向可控硅模塊在高溫下更加靈敏。高溫下，處在終止模式時(shí)，很容易因高dV/dt下的假觸發(fā)而導(dǎo)通。Hi-Com雙向可控硅模塊減少了這類傾向。進(jìn)而可以用在高溫電器，操控電阻性負(fù)載，比如廚房和取暖電器，而傳統(tǒng)的雙向可控硅模塊則不能用。

在可控硅模塊設(shè)計(jì)中，采用適合的基本參數(shù)及其與之相對(duì)應(yīng)的軟硬件設(shè)計(jì)，用可控硅模塊組成的變流設(shè)備有著節(jié)約能源、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)如今在工業(yè)生產(chǎn)中獲得快速的發(fā)展壯大。

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