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可控硅是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結圖1，能夠把它之間的NP分為兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管圖2

當可控硅承擔正方向陽極電壓時，為使可控硅導通，需要使承擔反方向電壓的PN結J2丟失阻擋功效。圖2中每一個晶體管的集電極電流同時便是另1個晶體管的基極電流。所以，2個相互復合的晶體管線路，當有充足的門極電流Ig流進時，便會生成強烈的正反饋，導致兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。

設PNP管和NPN管的集電極電流對應為Ic1和Ic2；發射極電流對應為Ia和Ik；電流放大系數對應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設經過J2結的反相漏電電流為Ic0，

可控硅的陽極電流等同于兩管的集電極電流和漏電流的總和：

Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0

若門極電流為Ig，則可控硅陰極電流為Ik=Ia+Ig

進而能夠算出可控硅陽極電流為：I=（Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式

硅PNP管和硅NPN管對應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而大幅度變化如圖所示3所顯示。

當可控硅承擔正方向陽極電壓，而門極未受電壓的狀況下，式（1—1）中，Ig=0，（a1+a2）極小，故可控硅的陽極電流Ia≈Ic0可控硅處在正方向阻斷情況。當可控硅在正方向陽極電壓下，從門極G流進電流Ig，鑒于非常大的Ig流經NPN管的發射結，進而增強其電流放大系數a2，造成非常大的極電極電流Ic2流進PNP管的發射結，并增強了PNP管的電流放大系數a1，造成更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這種強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，所以增強了可控硅的陽極電流Ia.這時，流進可控硅的電流完全由主回路的電壓和回路電阻值確定。可控硅已處在正向導通情況。

式（1—1）中，在可控硅導通后，1-（a1+a2）≈0，即便 這時門極電流Ig=0，可控硅仍能保持原本的陽極電流Ia而繼續導通。可控硅在導通后，門極已失去作用。

在可控硅導通后，倘若持續的減少電源電壓或增加回路電阻值，使陽極電流Ia減少到保持電流IH之下時，鑒于a1和a1迅速降低，當1-（a1+a2）≈0時，可控硅恢復阻斷情況。

可控硅智能模塊可斷開可控硅GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控可控硅。其主要特點為，當門極加逆向觸發信號時可控硅能自主斷開。

以上就是傳承電子對可控硅模塊的運行過程的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。