igbt開通延遲過程

2021-08-12

igbt模塊柵極電容的組成
Ciss=CGE+CGC輸入電容

Coss=CGC+CEC輸出電容

Crss=CGC米勒電容

下邊是較為詳細的電容分布：

關于igbt模塊元器件，柵極電容包含4個層面電容，如圖所顯示：

(1)柵極—發(fā)射極金屬電容C1

(2)柵極—N+源極氧化層電容C2

(3)柵極—P基區(qū)電容Cgp，Cgp由C3，C5組成;

(4)柵極—集電極電容Cgc，Cgc由C4，C6組成。當中，柵極—發(fā)射極電容(也稱作輸入電容)為Cge=C1+C2+Cgp，柵極—集電極電容(也稱作反方向傳輸電容或密勒電容)為Cgc。除此之外，Cgp隨柵極電壓的變動而變動，Cgc隨igbt模塊集射極電壓的變動而變動。電容Cgp的變化趨勢如下圖所顯示。所以，Cgp隨之電壓的增加，其電容值先減小，隨之電壓的進一步增加，其大小又漸漸增加，并抵達穩(wěn)定值。
以上就是傳承電子對igbt開通延遲過程的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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