可控硅模塊的保護措施

2021-08-06

可控硅元器件的關鍵缺陷是承載過電流和國電壓的能力很差，即便短時間的過流和過電壓，也能夠造成可控硅的毀壞，因此需要對它使用恰當的保障措施。
1.過電流保護

可控硅發(fā)生過電流的關鍵因素是過載、短路和誤觸發(fā)。過電流保護有下列幾種：

快速容斷器快速容斷器中的溶絲是銀質的，只需選擇恰當，在相同的過電流倍數下，它能夠在可控硅毀壞前先溶斷，進而保護了可控硅。

過電流繼電器當電流超出過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器便會運作，斷開保護線路。但因為繼電器運作到斷開線路需要一定時間，因此只能作為可控硅的過載保護。

過載截止保護通過過電流的信號將可控硅的觸發(fā)信號后挪，或使可控硅得導通角降低，或索性終止觸發(fā)保護可控硅。

2.過電壓保護

過電壓能夠造成可控硅的擊穿，其關鍵因素是因為線路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或可控硅在導通與截止間的轉變。對過壓保護可使用2種措施

阻容保護阻容保護是電阻和電容串聯后，接在可控硅線路中的1種過電壓保護形式，其實質是通過電容器兩端電壓無法突變和電容器的電場儲能和電阻使耗能元器件的特性，把過電壓的能量變?yōu)殡妶瞿芰績Υ嬖陔妶鲋?，并通過電阻把這一部分能量消耗掉。

第2種是硒堆保護。

以上就是傳承電子對可控硅模塊的保護措施的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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