MOS管和igbt的結構特點

2021-08-05

在電子線路中，MOS管和 IGBT 管會時常出現，它們都能夠當做開關元件來用，MOS管和IGBT管在外型及特征參數也有點類似，那為何有一些線路用MOS管？而有一些線路用IGBT管？

MOS管和igbt模塊的結構特點

MOS管和IGBT管的內部構造如下圖所顯示：
igbt模塊是利用在MOSFET的漏極上追加層而組成的。

igbt模塊的理想等效線路如下圖所顯示，igbt模塊實際便是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存有導通電阻高的弊端，但igbt模塊擺脫了這個弊端，在高壓時igbt模塊仍有著較低的導通電阻。
此外，類似功率容量的igbt模塊和MOSFET，igbt模塊的速度也許會慢于MOSFET，鑒于igbt模塊存有關斷拖尾時間，鑒于igbt模塊關斷拖尾時間長，死區時間也得延長，進而會干擾開關頻率。

以上就是傳承電子介紹MOS管和igbt的結構特點，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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