可控硅的伏安特性是指什么

2021-07-08

可控硅的伏安特性曲線指的是可控硅陽極電流量IA、陽極與陰極間電壓UAK及控制極電流量Ic間的相互關系。
1）正方向特性

當可控硅（可控硅）的陽極和陰極間添加正方向電壓，而控制極不添加電壓時，可控硅的Jl、J3結處在正方向偏置，J2結處在反方向偏置，可控硅只有通過較小的正方向漏電流，即特性曲線的OA段，稱作正方向阻斷情況。當陽極電壓持續(xù)提升到圖中的UBO值時，J2結被反方向擊穿，陽極電流量驟然升高，特性曲線忽然由A點跳至B點，可控硅進到導通情況，這是1種不正常情況。常規(guī)運行時，不允許正方向電壓到達轉折電壓，避免可控硅喪失可控功能。

可控硅導通之后電流量極大而管壓降只有1V左右，這時的伏安特性與二極管的正方向特性類似，如下圖中的BC段，稱作正向導通特性。導通后，要是減少陽極電流量，則當厶低于IH時，可控硅忽然由導通情況轉變?yōu)樽钄啵匦郧€由B點跳回到A點。IH稱作維持電流量。

當控制極添加電流量Ic時，使可控硅由阻斷轉為導通所需的陽極電壓值將低于UBO，而Ic且愈大，所需要的陽極電壓越小。

2）反方向特性

當可控硅的陽板電壓為負時的伏安特性稱作反方向特性。可控硅加反方向電壓時，Jl、J3結處在反方向偏置，J2結處在正方向偏置；可控硅只流過ISL9N315AD3S較小的反方向漏電流。這段特性與二極管的反方向特性類似，可控硅處在反方向阻斷情況。當反方向電壓超出圖中的UBR值，管子被擊穿，反方向電流量驟然提升，使可控硅反向導通，稱作不可逆擊穿。UBR稱作反方向擊穿電壓。

可控硅常規(guī)運行時，另加電壓不允許超出反方向擊穿電壓，不然管子將被毀壞。與此同時，另加電壓也不允許超出正方向轉折電壓，否則無論控制極是不是加控制電流量，可控硅均將導通。在可控整流線路中，應當由控制極電壓來決定可控硅什么時候導通，稱作1個可控開關。

以上就是傳承電子對可控硅的伏安特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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