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1、斷開時(shí)間toff

同開通時(shí)間ton相同，斷開時(shí)間toff也能夠分成2段：斷開延遲時(shí)間td（off），和下降時(shí)間tf。

當(dāng)柵極和發(fā)射極間的正方向電壓被突然撤消并同時(shí)被添加1個(gè)負(fù)壓后，VCE便開始下跌。下跌過程的時(shí)間常數(shù)依然由輸入電容CGE和柵極驅(qū)動(dòng)電路的電阻所決定。此外，VCE開始上升。但只要是VCE低于VCC，則續(xù)流二極管處在截止情況且無法接續(xù)電流。

因此 ，igbt模塊的集電極電流IC在這段時(shí)間并沒有明顯的下跌。因此，從柵極—發(fā)射極電壓VCE降落到其開通值的90%開始，直至集電極電流下跌至負(fù)載電流的90%為止；這段時(shí)間被定義為斷開延遲時(shí)間td（off）。

一經(jīng)上升的igbt模塊的集電極—發(fā)射極電壓超出電壓VCC時(shí)，續(xù)流二極管便處在正方向偏置的情況下，負(fù)載電流便能夠換流至續(xù)流二極管，集電極電流也因此下跌口從集電極電流IC由負(fù)載電流k的90%下跌至10%間的時(shí)間稱作下降時(shí)間tf。

從圖1中能夠得出，在IC下跌的此外，VCE會(huì)形成1個(gè)大大超出電壓Vcc的峰值，這主要是由負(fù)載電感導(dǎo)致的，其幅度與igbt模塊的斷開速度呈線性關(guān)系。峰值電籮過高將會(huì)導(dǎo)致igbt模塊的毀壞。斷開延遲時(shí)間，與下降時(shí)間tf之和稱作斷開時(shí)間toff。
2、拖尾時(shí)間、拖尾電流

對比于MOSFET，igbt模塊選用1種新的形式減低了通態(tài)耗損，但這種設(shè)計(jì)同時(shí)導(dǎo)致了拖尾電流It，拖尾電流持續(xù)衰減至斷開情況漏電流的時(shí)間稱作拖尾時(shí)間tt，拖尾電流嚴(yán)重的干擾了斷開耗損，因?yàn)樵谶@段時(shí)間里，VCE早已上升至電壓VCC之上。拖尾電流的形成也提醒我們，即便在柵極給出了斷開信號(hào)，igbt模塊也無法及時(shí)的完全斷開，也是需要注意的，在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)時(shí)要確保2個(gè)橋臂的驅(qū)動(dòng)波型有充裕的死區(qū)。

以上就是傳承電子對igbt功率模塊斷開時(shí)間toff的定義的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。