全面解析igbt功率模塊開關過程

2021-07-05

igbt功率模塊的開關過程主要是由柵極電壓VGE操縱的，因為柵極和發射極間存有著寄生電容艮，所以igbt模塊的導通與斷開就等同于對CGE完成充電與放電。假定igbt模塊初始狀態為斷開模式，即VGE為負壓VGC-，后級輸出為阻感性負載，含帶續流二極管。

因為寄生參數和負載特點的干擾，igbt模塊的真實導通與斷開過程相對復雜，如圖1為igbt模塊的導通斷開過程示意圖，圖內柵極驅動波型比較理想化，集電極電流和集電極-發射極電壓的波型大致上是實際波型，僅有小細節被理想化。
圖1igbt模塊開關時間示意圖

表1中列舉了igbt模塊開關時間的定義，之后是對igbt模塊開關每個階段的具體講述。

導通時長tonICBT導通時，VGE提升到0V后，VCE下跌到最大值10%時截止的時長。

導通延時時長td（on）igbt模塊導通時，從集電極電流提升到最大值的10%時開始，到VCE下跌到最大值的10%截止的時長。

上升時間trigbt模塊導通時，從集電極電流提升到最大值的10%時開始，抵達90%截止的時長。

斷開時長toffigbt模塊斷開時，從VCE下跌到最大值的90%開始，到集電極電流在下跌電流的切線上下跌到10%截止的時長。

下降時間tfigbt模塊斷開時，集電極電流從最大值的90%開始，在下跌電流的切線上下跌到10%截止的時長。

拖尾時長tt到內嵌二極管中的反向恢復電流消失截止所需要的時長。

拖尾電流It到內嵌二極管中正方向電流斷開時反方向流動的電流的峰值。

以上就是傳承電子介紹什么是全面解析igbt功率模塊開關過程的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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