什么是IGBT?

2021-07-02

igbt全稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極結(jié)型晶體三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管，也稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)構(gòu)成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體元器件，其具備自斷開的特性。優(yōu)勢是可以使用電壓控制，耐壓高，飽和壓降小，轉(zhuǎn)換速度快，環(huán)保節(jié)能等優(yōu)勢。
雙面冷卻散熱優(yōu)勢

某些小尺寸高功率的組件無法使用傳統(tǒng)的單面冷卻構(gòu)造符合其散熱要求，近些年對功率模塊雙面冷卻構(gòu)造的探究也愈來愈多。和單面構(gòu)造散熱構(gòu)造對比，雙面冷卻構(gòu)造在功率芯片的兩邊均焊接有絕緣導(dǎo)熱基板，功率端子全部與絕緣導(dǎo)熱基板相接，絕緣導(dǎo)熱基板的外邊安裝有散熱器。這樣的構(gòu)造的優(yōu)勢是可以減少功率模塊的熱阻，與此同時可以減少容積及品質(zhì)，并且因為構(gòu)造的改進導(dǎo)致可靠性也獲得了提高。
疊層雙面冷卻散熱

在增強功率模塊散熱功能的同時，更進一步提升封裝構(gòu)造，實現(xiàn)增強散熱的目標(biāo)，設(shè)計了一個依托于疊層功率芯片的雙面冷卻封裝構(gòu)造。為了能盡可能減少換流電路的面積，通過將上方芯片與下方芯片疊層設(shè)定，充分減少換流電路的路徑及面積，進而在增強冷卻功能的同時，減少散熱構(gòu)造容積。
雙面冷卻散熱構(gòu)造的容積減小，冷卻功能增強，構(gòu)造容積較傳統(tǒng)減少約90%，熱阻降低約50%。同時配對雙面冷卻封裝類型可大幅度減少功率電子元器件的工作結(jié)溫，進而提升功率器件的功率輸出和使用期限。為此，雙面冷卻技術(shù)可推進功率電子模塊向集成度更高，封裝容積更小和功率密度更大的角度發(fā)展。

以上就是傳承電子介紹什么是IGBT？傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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