單向可控硅模塊的導通條件

2021-06-04

一、單向可控硅模塊原理

可控硅導通條件：一種是可控硅陽極與陰極間需要加正方向電壓，二是控制極也需要加正方向電壓。以上2個條件需要同時具備，可控硅才會處在導通模式。此外，可控硅一經導通后，即便 減少控制極電壓或去除控制極電壓，可控硅依然導通。

可控硅斷開條件：減少或去除加在可控硅陽極至陰極間的正方向電壓，使陽極電流低于最小維持電流以下。
二、單向可控硅模塊的性能檢測

可控硅品質好壞的辨別能從4個層面實現。第1是3個PN結應完好無損；第2是當陰極與陽極間電壓反方向連接時可以阻斷，不導通；第3是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正方向連接時也不會導通；第4是給控制極添加正方向電流，給陰極與陽極加正方向電壓時，可控硅理應導通，把控制極電流去除，仍處在導通模式。

用數字萬用表的歐姆擋檢測可控硅的極間電阻，就可對前3個層面的好壞實現判斷。具體做法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極間的正反向電阻（控制極不接電壓），此2個阻值均應非常大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。假如測出的阻值很低，或趨于無窮大，表明可控硅早已擊穿短路或早已開路，此可控硅無法使用了。

用R×1k或R×10k擋測陽極與控制極間的電阻，正反向檢測阻值均應幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極間的PN結的正反向電阻在幾千歐上下，如出現正方向阻值接近于零值或者是為無窮大，表明控制極與陰極間的PN結早已毀壞。反方向阻值應非常大，但無法為無窮大。

正常情況是反方向阻值明顯超過正方向阻值。數字萬用表選電阻R×1擋，將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，這時數字萬用表指針應不變。紅表筆接陰極不變，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，這時數字萬用表電阻擋指針應往右邊偏移，阻值讀數為10歐姆上下。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，數字萬用表指針發生偏移，表明該單向可控硅模塊已擊穿毀壞。

以上就是傳承電子對雙向可控硅模塊的構造的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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