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現(xiàn)階段交流調壓多選用雙向可控硅模塊，它具備體型小、質地輕、效率高和方便使用等優(yōu)勢，對提升生產效率和降低成本等均有顯著功效，但它也具備過載和抗干擾能力差，且在操控大電感負載時會干擾電網和自干擾等弊端，下邊我們來談談可控硅模塊在其使用中該如何避開上述情況。
1.靈敏度

雙向可控硅模塊是一個三端元器件，但我們不會稱其兩極為陰陽極，反而稱之為T1和T2極，G為操控極，其操控極上所加電壓不論為正方向觸發(fā)脈沖或反向觸發(fā)脈沖均可使操控極導通，但觸發(fā)靈敏度互不相同，即確保雙向可控硅模塊能進到導通模式的最低門極電流IGT是有差別的。

2.可控硅模塊過載的保護

可控硅模塊元件優(yōu)勢很多，但它過載能力差，短期內的過流，過壓都能導致元器件受損，所以為確保元器件正常的運行，需有條件：

（1）外加電壓下容許超出正方向轉折電壓，不然控制極將失效；

（2）可控硅模塊的通態(tài)平均電流從安全角度考量通常按最大電流的1.5~2倍來取；

（3）為確保操控極可靠觸發(fā)，加到操控極的觸發(fā)電流通常取高于其額值，除此之外，還需要使用保護措施，通常對過流的保護措施是在線路中串接快速熔斷器，其額定電流取可控硅模塊電流均值的1.5倍上下，其接入的位子可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大點，通常多選用前者，過電壓保護常出現(xiàn)在存在電感的線路上，或交流側出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程造成的過壓。因為，過電壓的尖峰高，作用時間短，常選用電阻和電容吸收線路加以抑制。

3.操控大電感負載時的干擾電網和自干擾的避開

可控硅模塊元器件操控大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現(xiàn)象，其原因是當可控硅模塊元器件操控1個連接電感性負載的線路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率很大，所以在電感上形成1個高電壓，這個電壓經過電源的內阻加在開關觸點的電源開關，之后感應電壓一次次放電直到感應電壓低于放電所需要的電壓為止，在這一過程中將形成很大的脈沖束。這些脈沖束累加在供電電壓上，同時把干擾傳至供電線或以輻射形式傳進周圍空間，這一脈沖具備很高的幅度，很寬的頻率，因此有著感性負載的開關點是一個很強的噪聲源。

以上就是傳承電子對雙向可控硅使用的注意事項的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。