igbt模塊之阻斷與閂鎖

2021-05-28

當集電極被提升1個反方向電壓時，J1便會遭受反方向偏壓控制，耗盡層則會向N-區擴展。因太多地降低這個層面的厚度，將不能獲得1個有效的阻斷能力，因此，這一機制極為重要。另一方面，倘若過大地提升這一區域尺寸，便會連續地提高壓降。第二點清晰地表明了NPT器件的壓降比等效(IC和速度一樣)PT器件的壓降高的原因。

當柵極和發射極短路并在集電極端子提升1個正電壓時，P/NJ3結受反方向電壓控制。這時，依然是由N漂移區中的耗盡層承擔外界提升的電壓。

igbt模塊在集電極與發射極間有個寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在一定條件下，這類寄生器件會導通。這類情況會使集電極與發射極間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力減少，一般也會造成器件擊穿情況。晶閘管導通情況被稱作igbt模塊閂鎖，具體地說，這類缺點的因素互不相同，與器件的情況有密切相關。一般情況下，靜態和動態閂鎖有下列主要差異：

當晶閘管整個導通時，靜態閂鎖出現。只在斷開時才會出現動態閂鎖。這個特殊情況嚴重地限定了安全操作區。為避免寄生NPN和PNP晶體管的有害情況，必須實行下列對策：避免NPN部分接通，分別更改布局和摻雜級別。減少NPN和PNP晶體管的總電流增益。另外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，所以，它與結溫的關系也十分緊密；在結溫和增益提升 的情況下，P基區的電阻率會上升，影響了整體特性。所以，器件生產商必須留意將集電極最大電流值與閂鎖電流間維持一定的比例，一般比例為1：5。

以上就是傳承電子對igbt模塊之阻斷與閂鎖的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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