igbt模塊基礎知識梳理

2021-05-21

有關igbt模塊你了解多少，igbt模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)構成的復合全控型電壓驅動式功率半導體元器件,兼具MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩層面的優勢。GTR飽和壓減少，載流密度大，但驅動電流很大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt模塊綜合了上述2種元器件的優勢，驅動功率小而飽和壓減少。特別適合用于直流電壓為600V及上述的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等行業。

構造

igbt模塊結構圖左邊所顯示為1個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管構造，N+區稱之為源區，附于其上的電極稱之為源極。P+區稱之為漏區。元器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱之為柵極。溝道在緊靠柵區邊界生成。在漏、源間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域生成)，稱之為亞溝道區(Subchannelregion)。而在漏區另一側的P+區稱之為漏引入區(Draininjector)，它是igbt模塊特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起生成PNP雙極晶體管，起發射極的功能，向漏極引入空穴，進行導電調制，以減少元器件的通態電壓。附于漏引入區上的電極稱之為漏極。

igbt模塊的開關功能是利用加順向柵極電壓生成溝道，給PNP(原先為NPN)晶體管供應基極電流，使igbt模塊導通。反過來，加反方向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使igbt模塊斷開。igbt模塊的驅動方式和MOSFET基本一致，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，因此具備高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道生成后，從P+基極引入到N-層的空穴(少子)，對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使igbt模塊在高電壓時，也具備低的通態電壓。
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以上就是傳承電子對igbt模塊基礎知識梳理的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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