igbt模塊驅動線路存在的不足

2021-05-14

在中頻脈沖滲碳電源中，能快速建立過流保護是首要的，而驅動脈沖無延緩地傳遞，對即時過流保護起關鍵作用；另外為了降低開關損耗，還需很陡的驅動脈沖上升沿和下降沿；某些特殊場所需緊湊而簡潔、不附加驅動電源等。綜合考慮到上述需，選擇變壓器隔離全橋驅動線路，其線路如圖1所示。
圖1中2個橋臂各選擇1個N-MOSFET和1個P-MOSFET。兩路PWM控制信號1或2為高電平時，即1為高電平，2為低電平，Q1和Q4關斷，Q2和Q3導通，Q5導通。

這時，Q2，Q3和T1的原邊繞組就建立通道，脈沖電壓加在T1的原邊，相對的次邊會獲得驅動脈沖信號。1，2都為低電平時，Q1，Q2會另外導通，T1原邊被短路，則次邊無脈沖輸出。

MOSFET擁有導通電阻小，響應快，能供應挺大的瞬時開啟igbt模塊所需的電流，能夠確保驅動脈沖有較陡的上升沿和下降沿。需表明的是，此滲碳脈沖電源的輸出脈沖控制芯片選擇UC3825，是峰值電流控制型芯片，本身有著防偏磁的水平，不用加隔直電容來避免偏磁；反之，當加隔直電容時，造成兩路PWM控制信號無法一起斷開的情況，在除掉此隔直電容后，情況消失。

因此，在用隔直電容防偏磁時，要留意使用芯片的控制形式。

圖給出的驅動線路雖說解決了驅動信號無延遲傳輸和供應了有較陡上升沿和下降沿的驅動脈沖，但又發生了驅動脈沖的上升沿有過沖和下降沿有很大的斷開尖峰。上升沿的過沖主要是由漏感造成的，詳細分析及消除此過沖的方式已有詳盡探討。

下降沿的斷開尖峰主要是勵磁電感造成的。通常減少這2種尖峰是利用增多Rg(門極電阻)來完成，但增加Rg會減緩驅動脈沖上升沿和下降沿的陡度，而增加開關損耗。
此線路主要工作流程分析如下：圖2是一個脈沖周期，當正脈沖上升沿(t0～t3)來臨時(這兒只考量正脈沖)，電容C等同于短路，利用二極管D和電容C能夠給igbt模塊供應很大的瞬間電流，把驅動脈沖的上升時間減短。

以上就是傳承電子對igbt模塊驅動線路存在的不足的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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