不間斷電源igbt模塊受損的因素

2021-05-08

在UPS中采用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅模塊和igbt模塊，igbt模塊不僅有功率MOSFET便于驅動，控制簡易、開關頻率高的優勢，又有功率晶體管的導通電壓低，通態電流大的優勢、采用igbt模塊變成UPS功率設計方案的優選，唯有對igbt模塊的特點充分的掌握和對線路開始可靠性設計，方能發揮igbt模塊的優勢。
igbt模塊受損的因素

UPS在用過程中，常常遭受容性或感性負載的沖擊、過負荷甚至于負載短路等，和UPS的誤操作，將會導致igbt模塊受損。igbt模塊在用時的受損因素主要有以下幾種情況：

1、過電流受損。

igbt模塊有一定抗過電流功能，但需要小心避免過電流受損。igbt模塊復合器件內有個寄生晶閘管，因此有擎住效應。圖5為1個igbt模塊的等效電路，在要求的漏極電流區域內，NPN的正偏壓不可以使NPN晶體管導通，當漏極電流大到一定程度時，這一正偏壓足夠使NPN晶體管開通，從而使NPN和PNP晶體管處在飽和狀態，因此寄生晶閘管開通，門極失去操控功能，便發生了擎住效應。igbt模塊發生擎住效應后，漏極電流過大導致了過高的功耗，最后導致器件的受損。

2、過電壓損壞。

igbt模塊在斷開時，因為逆變電路中存有電感成份，斷開瞬間出現尖峰電壓，倘若尖峰電壓過壓則很有可能導致igbt模塊擊穿毀壞。

3、橋臂共導損壞。

4、過熱損壞和靜電損壞。

igbt模塊兼具有功率MOSFET和GTR的優勢，是UPS中的充電、旁路開關、逆變器，整流器等功率變換的理想元件。只要正確運用igbt模塊，并采取有效的防護方案，才會提高igbt模塊在UPS中的可靠性。

以上就是傳承電子對不間斷電源igbt模塊受損的因素的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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