igbt模塊的M57959L/M57962L厚膜驅動線路

2021-04-26

M57959L/M57962L厚膜驅動線路選用雙電源（+15V，-10V）配電，輸出負偏壓為-10V，I/O電平與TTL電平兼容，備有短路/過載保護和封閉型短路保護作用，此外兼具延遲保障特性。其各自適用于驅動1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A和之下的IGBT.M57959L/M57962L在驅動中小功率的IGBT時，驅動實際效果和各類性能呈現良好，但當其運作在高頻下時，其脈沖前后沿變的較差，即信號的最大傳送寬度受限制。且厚膜內部選用印刷線路板設計，排熱并不是很好，很容易因過熱導致內部元件的燒壞。
M57959L集成IGBT專用的驅動芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅動。其最高頻率也達40KHz，選用雙電源配電（+15V和-15V）輸出電流峰值為±2A，M57959L有之下特性：

（1）選用光耦完成電器隔離，光耦是快速型的，適用20KHz上下的高頻開關運作，光耦的原邊已串連限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入側。

（2）倘若選用雙電源驅動工藝，輸出負柵壓較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V，通常取+15V/-10V。

（3）信號傳送延遲時間短，低電平-高電平的傳送延遲和高電平-低電平的傳送延遲時間都在1.5μs之下。

（4）兼具過流保護作用。M57962L經過檢測IGBT的飽和壓降來辨別IGBT是不是過流，要是過流，M57962L便會將對IGBT實施軟斷開，并輸出過流故障信號。

（5）M57959的內部構造如圖所示，這一線路的驅動部份與EXB系列產品相近，但過流保護上有所差別。過流檢測仍使用電壓采樣，線路特性是選用柵壓緩降，完成IGBT軟斷開。

規避了斷開中過電壓和大電流沖擊，此外，在斷開環節中，輸入控制信號的情況失去作用，既保障斷開是在封閉情況中完成的。當保障開始時，即刻送出故障信號，目的是斷開控制信號，以及線路中其余有源器件。

以上就是傳承電子igbt模塊的M57959L/M57962L厚膜驅動線路的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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