igbt模塊的動態(tài)特性

2021-04-19

igbt模塊在導(dǎo)通環(huán)節(jié)中，大多數(shù)時長作為MOSFET來運作的，只是在漏源工作電壓Uds下降環(huán)節(jié)后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和，又增添了一段延遲時間。td(on)為導(dǎo)通延遲時間，tri為電流量上升時間。具體用中常供應(yīng)的漏極電流量導(dǎo)通時間ton就是td(on)tri之和。漏源工作電壓的下降時間由tfe1和tfe2構(gòu)成。

igbt模塊的觸發(fā)和斷開標準給其柵極和基極間添加正向工作電壓和負向工作電壓，柵極工作電壓可由不同的驅(qū)動電路形成。當(dāng)選用這類驅(qū)動電路時，務(wù)必依托于下列的參數(shù)來實現(xiàn)：元件斷開偏置的標準、柵極電荷的標準、耐固性標準和電源的情況。由于igbt模塊柵極-發(fā)射極阻抗大，故可用MOSFET驅(qū)動技術(shù)實現(xiàn)觸發(fā)，不過由于igbt模塊的輸入電容較MOSFET為大，故igbt模塊的斷開偏壓應(yīng)當(dāng)比許多MOSFET驅(qū)動電路供應(yīng)的偏壓更高。

igbt模塊在斷開環(huán)節(jié)中，漏極電流量的波形變?yōu)閮啥?。由于MOSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲電荷很難快速消除，導(dǎo)致漏極電流量較長的尾部時間，td(off)為斷開延遲時間，trv為工作電壓Uds(f)的上升時間。具體用中常常供應(yīng)的漏極電流量的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段構(gòu)成，而漏極電流量的斷開時間

t(off)=td(off)+trv十t(f)

式中，td(off)與trv之和又稱之為存儲時間。

igbt模塊的開關(guān)速度低于MOSFET，但很明顯高過GTR。igbt模塊在斷開時不用負柵壓來縮減斷開時長，但斷開時長隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。igbt模塊的開啟工作電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。igbt模塊導(dǎo)通時的飽和壓降比MOSFET低而和GTR相近，飽和壓降隨柵極工作電壓的增加而降低。

以上就是傳承電子igbt模塊的動態(tài)特性的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標準和非標準的功率半導(dǎo)體模塊等。

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