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可控硅模塊是PNPN四層三端元器件，共有3個PN結。解析原理時，可以把它當作是由1個PNP管和1個NPN管所組成，其等效電路圖解如圖1（a）所示，圖1（b）為可控硅模塊的電路符號。
圖1可控硅模塊等效電路圖解圖

可控硅模塊的工作原理

可控硅模塊是四層三端元器件，它有J1、J2、J33個PN結，可以把它中間的NP劃分兩部分，組成1個PNP型三極管和1個NPN型三極管的復合管。

（1）當可控硅模塊承擔正向陽極工作電壓時，為使可控硅模塊導通，必須使承擔反向工作電壓的PN結J2失去阻擋作用。每一個晶體管的集電極電流同時便是另1個晶體管的基極電流。所以是2個互相復合的晶體管線路，當有足夠的門極電流Ig流入時，便會產生明顯的正反饋，引發兩晶體管飽和導通。

設PNP管和NPN管的集電極電流主要為IC1和IC2，發射極電流相對為Ia和Ik，電流放大系數相對為α1＝IC1／Ia和α2＝IC2／Ik，設流過J2結的反相漏電流為ICO，可控硅模塊的陽極電流相當于兩管的集電極電流和漏電流的之和：

Ia＝IC1＋IC2＋ICO＝α1Ia＋α2Ik＋ICO（1）

若門極電流為Ig，則可控硅模塊陰極電流為：Ik＝Ia＋Ig。

所以，可以得出可控硅模塊陽極電流為：

（2）硅PNP管和硅NPN管相對的電流量放大系數α1和α2隨其發射極電流量的改變而急劇改變。當可控硅模塊承擔正向陽極電壓，而門極未接受電壓的情況下，式（1）中Ig＝0，（α1＋α2）很小，故可控硅模塊的陽極電流量Ia≈ICO，可控硅模塊處在正向阻斷模式；當可控硅模塊在正向門極電壓下，從門極G流入電流量Ig，因為足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提升放大系數α2，產生足夠大的集電極電流量IC2流過PNP管的發射結，并提升了PNP管的電流量放大系數α1，產生更大的集電極電流量IC1流經NPN管的發射結，這種強烈的正反饋過程快速進行。

當α1和α2隨發射極電流量提升而導致（α1＋α2）≈1時，式（1）中的分母1－（α1＋α2）≈0，因此提升了可控硅模塊的陽極電流量Ia。這時，流過可控硅模塊的電流量完全由主電路的電壓和回路電阻決定，可控硅模塊已處在正向導通模式。可控硅模塊導通后，式（1）中1－（α1＋α2）≈0，即便 這時門極電流量Ig＝0，可控硅模塊仍能維持原先的陽極電流量Ia而繼續導通，門極已失去作用。在可控硅模塊導通后，要是不斷地降低電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流量Ia降低到維持電流量IH之下時，因為α1和α2快速下降，可控硅模塊恢復到阻斷模式。

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