igbt模塊的過熱保護方法

2021-03-29

igbt模塊的損耗功率關鍵涉及開關損耗和導通損耗，前面一種隨開關頻率的增高而增大，占整體損耗的主要部分;后面一種是igbt模塊控制的平均電流與電源電壓的乘積。因為igbt模塊是功率大的半導體器件，損耗功率使其發熱較多(尤其是Rg選擇偏大時)，加上igbt模塊的結溫無法高于125℃，不適合長期性運行在較高環境溫度下，所以要選用得當的散熱方案進行過熱保護。
散熱通常是選用散熱器(涉及普通的散熱器與熱管散熱器)，并可進行強迫風冷。散熱器的架構設計應符合：

Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm式中Tj-igbt模塊的運行結溫

P△-損耗功率

Rjc-結-殼熱阻

Rcs-殼-散熱器熱阻

Rsa-散熱器-環境熱阻

Tjm-igbt模塊的最高結溫

在具體工作中，我們選用普通的散熱器與強迫風冷相結合的方案，并在散熱器上裝溫度開關。當環境溫度到達75℃～80℃時，利用SG3525的關閉信號終止PMW傳送控制信號，進而使驅動器封鎖igbt模塊的開關輸出，并給予關斷保護。

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