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為正常情況下用雙向可控硅模塊，需定量了解其基本參數(shù)，對雙向可控硅模塊進行恰當選取并采取有效措施以實現(xiàn)各參數(shù)的標準。

耐壓級別的使用：一般是把VDRM（斷態(tài)重復峰值電壓）和VRRM（反向重復峰值電壓）中較小的值標作該元器件的額定電壓。使用時，額定電壓應是正常情況下工作峰值電壓的2~3倍，用作允許的操作過壓裕量。

電流的判定：因為雙向可控硅模塊一般是用在交流電路中，所以無需平均值而用有效值來表示它的額定電流值。因為可控硅模塊的負載能力比通常電磁元器件小，因此通常家電中選取可控硅模塊的電流值為實際工作電流值的2~3倍。另外，可控硅模塊承載斷態(tài)重復峰值電壓VDRM和反向重復峰值電壓VRRM時的峰值電流應小于元器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

通態(tài)（峰值）電壓VTM的使用：它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為降低可控硅模塊的熱損耗，應盡量使用VTM小的可控硅模塊。

維持電流：IH是維持可控硅模塊維持通態(tài)所必要的最小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。

電壓上升率的抵制：dv/dt指的是在關(guān)閉模式下電壓的上升斜率，它是預防誤觸發(fā)的1個主要參數(shù)。此值超限將可能造成 可控硅模塊出現(xiàn)誤導通的狀況。因為可控硅模塊的生產(chǎn)工藝確定了A2與G中間會存有寄生電容，如圖1所示。我們知道dv/dt的變化在電容的兩邊會出現(xiàn)等效電流，這一電流便會成為Ig，也就是出現(xiàn)了觸發(fā)電流，造成 誤觸發(fā)。

轉(zhuǎn)換電壓上升率dVCOM/dt。驅(qū)動高電抗性的負載時，負載電壓和電流的波形間一般是出現(xiàn)實質(zhì)性的相位移動。當負載電流過零時雙向可控硅模塊出現(xiàn)轉(zhuǎn)換，因為相位差電壓并不是零。此時雙向可控硅模塊須馬上阻斷該電壓。產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換電壓上升率（dVCOM/dt）若超出允許值，會迫使雙向可控硅模塊恢復導通模式，因為載流子沒有充足的時間自結(jié)上撤出，如圖2所示。

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以上就是傳承電子設計師"雙向可控硅模塊應用領(lǐng)域"介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。