傳承科技解析可控硅結(jié)構(gòu)及原理解析

2021-02-21

可控硅有3個(gè)極----陽(yáng)極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭構(gòu)成的四層框架，一共有3個(gè)PN結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管結(jié)構(gòu)迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其起到“以小控大”的優(yōu)秀的控制特點(diǎn)奠定了基礎(chǔ)。

可控硅使用時(shí)，只需在控制極加很小的電流或電壓，就能控制極大的陽(yáng)極電流或電壓。當(dāng)前已能生產(chǎn)出電流容量達(dá)幾百安培甚至過(guò)千安培的晶閘管元器件。通常把5安培以內(nèi)的晶閘管叫小功率晶閘管，50安培之上的晶閘管叫大功率晶閘管。

我們可以把從陰極往上數(shù)的第一、二、三層看面是1個(gè)NPN型號(hào)晶體管，而二、三、四層構(gòu)成另一只PNP型晶體管。當(dāng)中第二、三層為兩管交迭共用。

可繪制圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極中間加1個(gè)正向電壓E，又在控制極G和陰極C中間（相當(dāng)BG2的基一射間）導(dǎo)入1個(gè)正的觸發(fā)訊號(hào)，BG2將形成基極電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。

由于BG2集電極與BG1基極相接，IC2更是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送還BG2的基極放大。

這般循環(huán)放大，直至BG1、BG2完全導(dǎo)通。其實(shí)上述過(guò)程是“一觸即發(fā)”的，對(duì)晶閘管而言，觸發(fā)訊號(hào)加到控制極，晶閘管即刻導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間關(guān)鍵取決于晶閘管的性能。

以上就是傳承電子設(shè)計(jì)師"傳承科技解析可控硅結(jié)構(gòu)及原理解析"的介紹， 傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。

具體產(chǎn)品有：IGBT模塊、晶閘管(可控硅)模塊、超快恢復(fù)外延二極模塊、 單相整流橋模塊、 三相整流橋模塊、整流二極管模塊、肖特基二極管模塊等功率半導(dǎo)體器件。

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