igbt運行中的靜態性能

2021-08-30

igbt的靜態性能，靜態數據性能重要有光電流性能、遷移性能和電源開關性能。

（1）光電流性能：igbt的光電流性能是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關連曲線圖。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的操縱，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出性能相似。也可分為飽和狀態區1、變大區2和穿透性能3一部分。在截止狀況下的igbt，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。倘若無N緩沖區域，則正反面向阻隔電壓可以維持相同水準，加上N緩沖區域后，反向斷開電壓僅有達到幾十伏水準，所以限制了igbt的某些使用范疇。

（2）遷移性能：igbt的遷移性能是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關連曲線圖。它與MOSFET的遷移性能同樣，當柵源電壓小于打開電壓Ugs（th）時，igbt處于斷開狀況。在igbt通斷后的大部分漏極電流范疇內，Id與Ugs呈線性相關。柵源電壓受漏極電流限制，其值通常起名叫15V左右。
（3）電源開關動畫特效：igbt的電源開關性能是指漏極電流與漏源電壓之間的關連。igbt處于導通態時，因為它的PNP晶體三極管為寬基區晶體三極管，所以其B值極低。盡管閉合線路為達林頓結構，但穿過MOSFET的電流變為igbt總電流的重要一部分。此時，通態電壓Uds（on）可用下式說明

Uds（on）=Uj1UdrIdRoh

式中Uj1——JI結的正向電壓，其數值0.7～1V;Udr——擴展電阻Rdr上的耗損;Roh——斷面電阻器。

通態電流Ids可用下式說明：Ids=（1Bpnp）Imos；式中Imos——穿過MOSFET的電流。

由于N區存在氧化還原電位調配效用，所以igbt的通態耗損小，抗壓1000V的igbt通態耗損為2～3V。igbt處于斷態時，僅有很小的泄露電流存在。

以上是傳承電子對igbt運行中的靜態性能的介紹，并提供了相應的等效線路。依據上述解析，如啟動延時等效電路圖，在給柵極電容充電的時期，驅動電阻的值越小，時間常數越小，進而柵極電壓升高越快，啟動延遲的時間越小。由米勒平臺時期等效電路圖得知，驅動電阻越小，相同的柵極平臺電壓值，平臺持續時間也越小。驅動電阻越小，平臺電壓隨后，升高到最大柵極電壓的時間也越小。

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