怎么解決可控硅SiCMOSFET的橋臂串擾？

2021-08-26

SiCmosfet三相全橋逆變線路中，同一個橋臂上下功率器件很容易受元器件寄生參數的影響而相互產生干擾，該狀況稱之為橋臂串擾。這類狀況很容易導致橋臂直通或 燒毀功率器件。SiCMOSFET與SiIGBT對比，SiCMOSFET的柵極電壓極限值和柵極閾值電壓都相應較低，橋臂串擾情況愈發突出。在考慮SiCMOSFET寄生參數的影響下。

1）開通過程
2）關斷過程
以上就是傳承電子對怎么解決可控硅SiCMOSFET的橋臂串擾的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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