igbt功率模塊應(yīng)用中的注意事項(xiàng)

2021-08-23

因?yàn)閕gbt模塊的輸入端為MOSFET構(gòu)造，igbt模塊的柵極借助一層氧化膜與發(fā)射極起到電隔離。因?yàn)榇搜趸ず鼙。鋼舸╇妷和ǔＴ?0-30V間。所以因靜電而造成 柵極擊穿也是igbt模塊失效的常見原因之一。為預(yù)防因靜電因素導(dǎo)致igbt模塊毀壞，在igbt模塊應(yīng)用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：
（1）在檢測(cè)或安裝拆卸igbt模塊時(shí)，手拿igbt模塊組件時(shí)，勿觸碰igbt模塊驅(qū)動(dòng)端子部分。當(dāng)必須要觸碰igbt模塊端子時(shí)，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地完成放電后，再觸碰。

（2）在用導(dǎo)電材料連結(jié)驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，在配線未布好前不能接上igbt模塊端子。

（3）盡可能在底板良好接地的狀況下操作。

（4）在焊接作業(yè)時(shí)，焊機(jī)與焊槽間的漏泄更易形成靜電壓，為了預(yù)防靜電的產(chǎn)生，應(yīng)將焊機(jī)處在良好的接地模式下。

在運(yùn)用中有時(shí)候盡管確保了柵極驅(qū)動(dòng)電壓沒超出柵極最大額定電壓，但柵極接線的寄生電感和柵極與集電極問(wèn)的電容耦合，也會(huì)形成使氧化層受損的振蕩電壓。因此，通常選用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以降低寄生電感。在柵極接線中串連小電阻值也能抑止振蕩電壓。

以上是傳承電子對(duì)igbt功率模塊應(yīng)用中的注意事項(xiàng)的介紹，并提供了相應(yīng)的等效線路。依據(jù)上述解析，如啟動(dòng)延時(shí)等效電路圖，在給柵極電容充電的時(shí)期，驅(qū)動(dòng)電阻的值越小，時(shí)間常數(shù)越小，進(jìn)而柵極電壓升高越快，啟動(dòng)延遲的時(shí)間越小。由米勒平臺(tái)時(shí)期等效電路圖得知，驅(qū)動(dòng)電阻越小，相同的柵極平臺(tái)電壓值，平臺(tái)持續(xù)時(shí)間也越小。驅(qū)動(dòng)電阻越小，平臺(tái)電壓隨后，升高到最大柵極電壓的時(shí)間也越小。

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