igbt過壓過熱損壞修復方案

2021-08-20

1、過電壓毀壞處理

避免過電壓毀壞方式有提升主線路的工藝構造，通過減小大電流回路的路徑來減少線路寄生電感；適度提升igbt驅動電阻值RG使開關速度減慢（但開關損耗也提升了）；設計緩沖線路，對尖峰電壓完成抑制。用作緩沖線路中的二極管需要是快恢復二極管，電容需要是高頻、損耗小、頻率特性好的薄膜電容。如此才能取得好的吸收效果。

igbt的VGE的保證值為±20V，加在igbt上的VGE若超過保證值，將會造成 igbt毀壞，所以在柵極—發射極間的電壓不可超過保證值，另外，在柵極—發射極問開路時，若在集電極—發射極間添加電壓，隨著集電極電位的變化，因為有漏電流流過，柵極電位上升，集電極則有電流流過。倘若這時在集電極—發射集間處在高電壓模式時，有可能使芯片發熱而毀壞。在應用中倘若igbt柵極回路處在開路模式，若在主回路上添加電壓，也將造成 igbt毀壞，為預防這類毀壞狀況出現，應在igbt的柵極、發射極間接1只lOkΩ左右的阻。
2、過熱毀壞處理

可借助降額運用，增加散熱器，涂覆導熱膠，強制風扇冷卻，設定過溫度保護等方式來處理過熱受損問題。在安裝或替換igbt時，應高度重視igbt與散熱片的接觸面情況和扭緊程度。想要降低接觸熱阻，最好在散熱器與igbt間涂抹導熱硅脂。通常散熱片底邊安裝有散熱風扇，當散熱風扇受損或散熱片散熱不良時將導致igbt發熱，而出現故障。因此對散熱風扇應定期進行檢測，通常在散熱片上靠近igbt的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止igbt工作。

以上是傳承電子對igbt過壓過熱損壞修復方案的介紹，并提供了相應的等效線路。依據上述解析，如啟動延時等效電路圖，在給柵極電容充電的時期，驅動電阻的值越小，時間常數越小，進而柵極電壓升高越快，啟動延遲的時間越小。由米勒平臺時期等效電路圖得知，驅動電阻越小，相同的柵極平臺電壓值，平臺持續時間也越小。驅動電阻越小，平臺電壓隨后，升高到最大柵極電壓的時間也越小。

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