可控硅模塊的動態性能

2021-08-18

與二極管類似于，導通、斷開過程形成動態損耗可控硅模塊的導通和斷開過程波形
1)導通過程

延遲時間td：門極電流階躍時刻開始，到陽極電流升高到穩態值的10%的時間上升時間tr：陽極電流從10%升高到穩態值的90%需要的時間導通時間tgt：上述二者之和，tgt=td+tr 普通可控硅模塊延遲時間0.5~1.5?s，上升時間為0.5~3s

2)斷開過程

反方向阻斷恢復時間trr：正方向電流降至零到反向恢復電流衰減至近于零的時間。

正方向阻斷恢復時間tgr：可控硅模塊要恢復其對正方向電壓的阻斷能力，還需要一段時間。

在正方向阻斷恢復時間內，倘若重新對可控硅模塊添加正方向電壓，可控硅模塊會重新正向導通。

實際應用中，應對可控硅模塊添加足夠長時間的反方向電壓，使可控硅模塊充分恢復其對正方向電壓的阻斷能力，線路才能穩定工作。

斷開時間tq：trr與tgr之和，即  tq=trr+tgr

普通可控硅模塊的斷開時間約幾百微秒，這是設計反方向電壓設計時間的依據。

以上就是傳承電子對可控硅模塊的動態性能的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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