可控硅的靜態伏安性能

2021-08-17

第I象限的是正方向性能有阻斷模式和導通模式之分。

在正方向阻斷模式時，可控硅的伏安性能是1組隨門極電流的提高而不同的曲線簇。當IG足夠大時，可控硅的正方向轉折電壓很小，能夠看作與一般二極管相同.

第III象限的是反方向性能可控硅的反方向性能與一般二極管的反方向性能相似。
IG=0時，元器件兩邊添加正方向電壓，為正方向阻斷模式，僅有很小的正方向漏電流流過，正方向電壓超出臨界極限即正方向轉折電壓Ubo，則漏電流急劇增加，元器件導通隨之門極電流幅值的增加，正方向轉折電壓降低導通后的可控硅性能和二極管的正方向性能相仿可控硅本身的壓降很小，在1V左右導通期間，倘若門極電流為零，且陽極電流降到接近于零的某一數值IH之下，則可控硅又重回正方向阻斷模式。IH稱作維持電流。

可控硅上添加反方向電壓時，伏安性能類似于二極管的反方向性能可控硅的門極觸發電流從門極流進可控硅，從陰極流出陰極是可控硅主線路與控制回路的公共端門極觸發電流也通常是借助觸發線路在門極和陰極間添加觸發電壓而形成的可控硅的門極和陰極間是PN結J3，其伏安性能稱作門極伏安性能。為確保穩定、安全的觸發，觸發線路所給予的觸發電壓、電流和功率應控制在穩定觸發區。

以上就是傳承電子對可控硅的靜態伏安性能的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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