igbt功率模塊的基本構造

2021-08-11

前邊我們也簡潔的講過了igbt模塊的基本構造，igbt模塊是由雙極型功率晶體管(高耐壓、大容量)和MOSFET(高開關速度)組成，因此igbt模塊具備了2種元器件的特性，高耐壓、大電流、高開關速度。

上圖是igbt模塊芯片的橫向截面圖，圖上的P+和N+表明集電區和源區為重摻雜，N-表明基區摻雜濃度較低。igbt模塊和MOSFET一樣，在門極上外加正方向電壓就能導通，但因為通過在漏極上追加了P+層，使得在導通情況下，P+層向N基極注入空穴，進而引發了傳導性能的轉變，因此，igbt模塊和MOSFET相比，可以取得極低的通態電阻，也就是igbt模塊擁有較低的通態壓降。

由圖1(a)得知，單個igbt模塊元胞內包括1個MOSFET，1個PNP 晶體管和1個NPN 晶體管。

PNP晶體管集電極(P基區)與NPN晶體管發射極(N+源區)中間的電壓降用等效電阻Rs表達，當Rs非常小時，NPN晶體管的影響力就可以忽略(之后我們提到igbt模塊擎住效應的時候，這一寄生的NPN晶體管便會有所涉及，自然，還包含等效電阻Rs)。通常情形下，igbt模塊的等效線路模型如下圖1(b)右圖所顯示。

以上就是傳承電子對igbt功率模塊的基本構造介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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