可控硅（晶閘管）的注意事項(xiàng)

2021-02-21

電流量上升率、電壓上升率的抑止保護(hù)

1.電流量上升率di/dt的抑止

晶閘管初導(dǎo)通時(shí)電流量聚集在接近門(mén)極的陰極表層較小的范圍，部分電流密度過(guò)大，隨后以0.1mm/μs的拓展速度將電流量拓展到整個(gè)陰極面，若晶閘管導(dǎo)通時(shí)電流量上升率di/dt過(guò)大，會(huì)造成 PN結(jié)擊穿，需要限制晶閘管的電流量上升率使其在適宜的范疇內(nèi)。其更有效方法是在晶閘管的陽(yáng)極電路串聯(lián)入電感。如下圖:
圖1：串聯(lián)電感抑止電路
2.電壓上升率dv/dt的抑止

加在晶閘管上的正向電壓上升率dv/dt也應(yīng)有一定的限制,一旦dv/dt過(guò)大，基于晶閘管結(jié)電容的存在而發(fā)生過(guò)大的位移電流，該電流能夠本質(zhì)上發(fā)揮觸發(fā)電流的效果，使晶閘管正向阻斷能力下跌，情況嚴(yán)重時(shí)引發(fā)晶閘管誤導(dǎo)通。

為抑止dv/dt的功能，能夠在晶閘管兩端并聯(lián)R-C阻容吸收電路。如下圖：
圖2：并聯(lián)R-C阻容吸收電路
以上就是傳承電子設(shè)計(jì)師"可控硅（晶閘管）的注意事項(xiàng)"介紹， 傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來(lái)料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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