檢測逆導可控硅模塊時的注意事項

2021-07-26

檢測逆導可控硅模塊時的注意事項
（1）S3900MF的VTR＜0.8V，宜選R×1檔測量。

（2）若再用獲取電流法求出ITR值，還能夠繪制反方向伏安特性。

①通常小功率可控硅不用加散熱片，但應避開發熱元器件，如大功率電阻、大功率三極管和電源變壓器等。關于大功率可控硅，需要按手冊申的要求另裝散熱設備及降溫條件，以確保管子運行時的溫度不超過結溫。

②可控硅在選用中出現超越和短路狀況時，會導致過電流將管子燒毀。關于過電流，通常可在交流電源中另裝快速保險絲用以保護。快速保險絲的熔斷時間極短，通常保險絲的額定電流用可控硅額定平均電流的1.5倍來選取。

③交流電源在接通與斷開時，有可能在可控硅的導通或阻斷對出現過壓狀況，將管子擊穿。關于過電壓，可選用串聯RC吸收線路的辦法。由于電容兩邊的電壓無法突變，因此 只需在可控硅的陰極及陽極間并取RC電路，就可以削弱電源剎那間出現的過電壓，發揮保護可控硅的功能。當然還可以選用壓敏電阻過壓保護元器件實現過壓保護。
以上就是傳承電子對檢測逆導可控硅模塊時的注意事項的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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