可控硅模塊檢測時的注意事項

2021-07-22

（1）在檢測大功率GTO元器件時，提議在R×1檔外部串接一節1.5V電池E′，以增強檢測電壓和檢測電流，使GTO可靠地導通。

（2）要精確測量GTO的關斷增益βoff，需要有專用測試設備。但在業余條件下可以用以上辦法完成估測。鑒于檢測條件不一樣，測量結果僅作參考，或做為相對比較的依據。
逆導可控硅RCT(Reverse-ConducTI社區">TIngThyrisTI社區">TIr)亦稱反向導通可控硅。

其特性是在可控硅的陽極與陰極間反方向并接1只二極管，使陽極與陰極的發射結均呈短路模式。鑒于這種特殊線路構造，使之具備耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態電壓低等優良性能。

比如，逆導可控硅的關斷時間僅幾微秒，工作頻率達幾十千赫，強于快速可控硅（FSCR）。該元器件適用開關電源、UPS不間斷電源中，1只RCT就可以替代可控硅和續流二極管各1只，不但使用便捷，同時能簡易化電路設計。

逆導可控硅的伏安特性具備不對稱性，正方向特性與普通可控硅SCR一致，而反方向特性與硅整流管的正方向特性一致（僅坐標位置不一樣）。

逆導可控硅的典型產品有美國無線電公司（RCA）生產的S3900MF。它選用TO-220封裝，3個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的主要參數如下：

斷態重復峰值電壓VDRM：＞750V

通態平均電流IT（AV）：5A

最大通態電壓VT：3V（IT=30A）

最大反向導通電壓VTR：＜0.8V

最大門極觸發電壓VGT:4V

最大門極觸發電流IGT:40mA

關斷時間toff:2.4μs

通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs

通態浪涌電流ITSM:80A

以上就是傳承電子對可控硅模塊檢測時的注意事項的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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