igbt功率模塊串聯諧振式電壓型逆變器的原理

2021-07-20

倘若igbt模塊柵極與發射極間的電壓，即驅動電壓過低，則igbt模塊無法穩定正常地運行，倘若過高超出柵極-發射極間的耐壓則igbt模塊可能永久性毀壞;同樣，倘若加在igbt模塊集電極與發射極容許的電壓超出集電極-發射極間的耐壓，流過igbt模塊集電極-發射極的電流超出集電極-發射極容許的最大電流，igbt模塊的結溫超出其結溫的允許值，igbt模塊都可能會永久性毀壞。

絕緣柵極雙極型晶體管（igbt模塊）

igbt模塊串聯諧振式電壓型逆變器的原理

該電源選用半橋構造串聯諧振逆變電路，主電路原理如圖。在大功率igbt模塊諧振式逆變電路中，主線路的構造對整個產品的性能非常關鍵，因為線路中存在引線寄生電感，igbt模塊開關動作時在電感上激起的浪涌尖峰電壓Ldi／dt不可忽視，因為本電源選用的是半橋逆變電路，相比全橋線路來說，將形成比全橋線路更大的di／dt。

合理設計過壓保護即緩沖線路，對igbt模塊的正常運行非常關鍵。倘若緩沖線路設計不合理，將導致緩沖線路耗損增加，會導致線路起熱嚴重，極易毀壞元器件，影響長久運作。

為了給無功電流供應通路，ICBT需要反并接快速二極管，在電壓型逆變器中，為了防止開關元器件因Cd的短路電流而毀壞，在開關元器件換流環節中，上、下橋臂ICBT需要遵循先關斷后開通原則，即應留出死區時間（T。）。
以上就是傳承電子對igbt功率模塊串聯諧振式電壓型逆變器的原理的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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