igbt驅動線路的過電壓保護

2021-07-15

igbt集-射極間的瞬時過壓會對igbt模塊造成毀壞，小編選用箝位式吸收線路對瞬時過壓進行抑止。

當igbt模塊導通時，因為二極管的作用，電容器的電荷不會被放掉，電容器電壓仍為電源電壓。igbt模塊斷開時，負載電流仍流過igbt模塊，直到igbt模塊集-射極間電壓實現電源電壓，續流二極管導通。

應用該線路，能夠使雜散電感中的能量利用二極管轉儲到吸收電容器中，而igbt模塊的集電極電位被箝位在電容電壓上，如此就可以抑止igbt模塊集電極的尖峰電壓。

吸收電容器的容值能夠按公式（2）選 ?。?br />
式中，L是引線電感;i是igbt模塊斷開時的電流;△U是吸收電容器上的電壓過沖。

當吸收電路中的電容器電壓高過直流側電容器上的電壓時，利用電阻器向直流側電容器回送能量，直到與直流側電容器的電壓相同。

當igbt模塊斷開時，線路電感在集電極和發射極二端產生很高的尖峰電壓，再加上箝位式吸收線路之后，UCE被箝位在電容器電壓上，當UCE高過電容器電壓時，線路電感的能量被遷移到吸收電容器上，當尖峰電壓過去之后，吸收電容高過主電容的那部分電壓會因為能量回從而實現與主電容相同。

如此就抑止了集-射極間的尖峰電壓。吸收電容越大，吸收效果越好。因為吸收電容器上過沖的能量大部分被送回到直流側電容，因此減少了電阻器的能耗。

以上就是傳承電子對igbt驅動線路的過電壓保護的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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