igbt開關(guān)時(shí)間定義

2021-07-06

1、導(dǎo)通時(shí)長ton

導(dǎo)通時(shí)長能夠分成2個(gè)部分：導(dǎo)通延遲時(shí)間td（on）與上升時(shí)間tr，在此時(shí)長內(nèi)igbt模塊主要運(yùn)行在主動區(qū)域。

當(dāng)柵極和發(fā)射極之向被添加1個(gè)階躍式的正方向驅(qū)動電壓后，便對CGE開始充電，VGE開始提升，提升過程的時(shí)間常數(shù)由CGE和柵極驅(qū)動網(wǎng)路的電阻所決定，一經(jīng)VGE到達(dá)開啟電壓VGE（th）后，集電極電流IC則開始提升。

從VGE提升至VGE（th）開始，到IC提升至負(fù)載電流IL的10%截止，這段時(shí)間被定義為導(dǎo)通延遲時(shí)間td（on）。

之后，集電極電流IC持續(xù)上漲，到IC提升至負(fù)載電流IL的90%的時(shí)候，這段時(shí)間稱作上升時(shí)間tr。

導(dǎo)通延遲時(shí)間td（on）與上升時(shí)間tr之和被為導(dǎo)通時(shí)長ton。在整個(gè)導(dǎo)通時(shí)長內(nèi)，能夠看得出電流逐步提升而集電極—發(fā)射極間的壓降依然非常可觀，所以主要的導(dǎo)通耗損發(fā)生于這一時(shí)間內(nèi)。

2、igbt模塊導(dǎo)通

igbt模塊導(dǎo)通時(shí)，主要作業(yè)在飽和區(qū)域。

igbt模塊開通后，集電極電流Ic依然會持續(xù)上彝，并形成1個(gè)開通電流峰值，這種峰值是由阻感性負(fù)載及續(xù)流二極管共同形成的，峰值電流過大將會耗損igbt模塊。IC在到達(dá)峰值后會逐漸下跌至負(fù)載電流IC的水平，此外，VCE也下跌至飽和壓降水平，igbt模塊進(jìn)入較為穩(wěn)定的導(dǎo)通階段。

在這個(gè)階段中的主要參數(shù)是由負(fù)載決定的通態(tài)電流IL和1個(gè)較低的飽和壓降VCEsat，能夠得出，作業(yè)在飽和區(qū)的igbt模塊的耗損并不是特別大。

以上就是傳承電子對igbt開關(guān)時(shí)間定義的介紹。傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時(shí)還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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