可控硅元器件未來發展趨勢

2021-06-28

大功率可控硅（SCR）以前相當一段時間內，幾乎是可以經受高電壓和大電流的惟一半導體元器件。因此，對于SCR的弊端，人們很自然地把努力方向引到了如何使可控硅具備斷開能力這一點上，并因此而開發出了柵極可斷開可控硅GTO。
用GTO可控硅做為逆變器件獲得了比較滿意的結果，但其斷開控制容易失敗，仍較復雜，工作頻率也不是很高。而幾乎是與此同時，電力晶體管（GTR）快速發展起來，使GTO可控硅相形見綽。因此，在大量的中小容積變頻器中，GTO可控硅已基本不用。但因其工作電流大，故在大容量變頻器中仍居主要地位。

按照電力電子器件的發展現狀趨勢，估計在之后幾年，電力電子器件將在下列層面獲得突破：

已進到實用化的全控型元器件將在功率等級、便于驅動和更高工作頻率這3個層面接著改進和提升。

因為MCT、igbt模塊、IGCT等元器件的大容量化及實用化，在更多的領域，igbt模塊和IGCT將取代GTO。
IGCT等新型混合元器件將逐漸得到推廣使用。

功率集成線路將會出現更進一步的發展。這將意味著電力電子技術將跌入1個新的時期。

新型半導體材料SiC的問世，將意味著在不久的將來會問世1種集高耐壓、大電流、高開關速度、無吸收線路、簡單的柵極驅動、低損耗等所有優點于一身的新型SiC電力元器件。

以上就是傳承電子對可控硅元器件未來發展趨勢的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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