雙向可控硅的檢測方法

2021-06-23

圖可控硅模塊檢測接線示意圖
可控硅模塊的導通管壓降約為1V，觸發(fā)電壓通常在1~4V之內(nèi)，因此可將恒壓源空載電壓調(diào)至10V之下，如6V，恒定電流根據(jù)所檢測元器件的功率而定，針對功率模塊，可送入3A左右的電流。

將紅夾子接可控硅模塊的陽極，黑夾子接陰極，用導線短接下A、G極，這時顯示可控硅模塊導通電壓降和導通電流值。特別注意，檢測塑封小功率可控硅模塊時，可送入百毫安級電流，檢測時間不要太長，以免過熱燒毀。檢測大功率模塊時，可送入較大檢測電流。

若出現(xiàn)無法觸發(fā)，或導通壓降太大的情況，表明可控硅模塊性能變差或毀壞。

檢測雙向可控硅模塊的形式，與圖7連線形式是相同的。

以上就是傳承電子對雙向可控硅的檢測方法的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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