可控硅模塊元器件的構(gòu)造

2021-06-17

1種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端元器件，研發(fā)于1957年，因為它性能類似真空閘流管，因此 國際上統(tǒng)稱為硅晶體閘流管，簡稱為晶閘管T。又因為晶閘管起初使用于可控整流層面因此 又稱之為硅可控整流元器件，簡稱為為可控硅模塊SCR。

在性能上，可控硅模塊不但具備單向?qū)щ娦裕疫€具備比硅整流元器件（別名“死硅”）更加珍貴的可控性。它唯有導(dǎo)通和斷開2種模式。

可控硅模塊能以毫安級電流操控大功率的機械設(shè)備，倘若超出此頻率，因元器件開關(guān)損耗明顯增多，準(zhǔn)許經(jīng)過的平均電流相減少，這時，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。

可控硅模塊的優(yōu)點不少，比如：以小功率操控大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；響應(yīng)訊速，在微秒級內(nèi)導(dǎo)通、斷開；無觸點運作，無火花、無噪音；效率高，成本費用低等。

可控硅模塊的缺陷：靜態(tài)及動態(tài)的過載性能較弱；易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅模塊從外型上歸類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

可控硅模塊元器件的構(gòu)造

無論可控硅模塊的外型怎樣，它的管芯都是由P型硅和N型硅構(gòu)成的四層P1N1P2N2構(gòu)造。見圖1。它有3個PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1構(gòu)造的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出操控極G，因此 它是1種四層三端的半導(dǎo)體器件。
圖1、可控硅模塊結(jié)構(gòu)示意圖和符號圖

以上就是傳承電子對可控硅模塊元器件的構(gòu)造   的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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