雙向可控硅模塊的導(dǎo)通條件

2021-06-11

1.可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端構(gòu)造元件，一共有3個PN結(jié)，解析原理時，可以把它當(dāng)作由1個PNP管和1個NPN管所組成。

當(dāng)陽極A添加順向電壓時，BG1和BG2管均處在放大模式。這時，要是從控制極G輸入1個順向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極連在一起，因此ib1=ic2。

這時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，故此BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這一電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不停增加，這般順向饋循環(huán)的結(jié)果，2個管子的電流激增，可控硅模塊使飽和導(dǎo)通。

因為BG1和BG2所組成的正反饋作用，所以一旦可控硅模塊導(dǎo)通后，就算控制極G的電流消失了，可控硅模塊依舊可以維持導(dǎo)通模式，因為觸發(fā)信號只起觸發(fā)功效，沒有斷開功能，所以這類可控硅模塊是不可斷開的。

因為可控硅模塊唯有導(dǎo)通和斷開2種運行狀態(tài)，所以它具備開關(guān)特性，這類特性需要對應(yīng)的情況才能轉(zhuǎn)化

2,觸發(fā)導(dǎo)通

在控制極G上加入順向電壓時（見圖5）因J3正偏，P2區(qū)的空穴時入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進到P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅模塊的內(nèi)部正反饋作用（見圖2）的基礎(chǔ)上，添加IGT的功效，使可控硅模塊提前導(dǎo)通，造成圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。

以上就是傳承電子對雙向可控硅模塊的導(dǎo)通條件的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業(yè)領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體模塊制造商，為眾多的企業(yè)公司提供功率半導(dǎo)體模塊的定制、生產(chǎn)和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業(yè)務(wù)。主要產(chǎn)品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導(dǎo)體模塊、各種標(biāo)準(zhǔn)和非標(biāo)準(zhǔn)的功率半導(dǎo)體模塊等。

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