怎樣檢測igbt模塊的結溫

2021-06-03

因為igbt模塊芯片在模塊內，且表層一般都覆有硅膠，標準igbt模塊模塊直接檢測結溫幾乎是不太可能的。因此，必須igbt模塊生產廠家做一定的處理供應專門用于結溫測試的樣品。以下為使用端兩種常見的測量方法：

1.芯片表層貼熱電偶

igbt模塊模塊生產廠家事先在某些芯片表層貼上熱電偶（如圖3所示），樣機測試時能夠通過數據采集儀讀取芯片溫度。
圖3：SEMiX3pigbt模塊芯片表層貼熱電偶

要注意的是，貼在芯片表層的熱電偶金屬線也會帶走部分芯片的熱能，會導致5-15°C的測量誤差。

此外，在檢測時務必要做好熱電偶和數據采集儀間的電位隔離，不然可能會導致人員傷亡和測試儀器毀壞。

2. 紅外熱成像儀

IGBT模塊廠家能夠出具內部沒有硅膠的模塊，如此就可以用高分辨率的熱成像儀精確檢測到芯片的溫度（如圖4所顯示），但對芯片上方有母排連接的模塊不適合。
圖4：SEMiX3pigbt模塊熱成像儀照片

要注意的是，為了能提高檢測精度，在成像前推薦在芯片表層噴涂顯像劑。

如何計算igbt模塊的結溫？

在igbt模塊中，NTC的溫度能夠被精確檢測，所以能夠借助NTC的溫度來測算igbt模塊的結溫。即，

Tj=PxRth（j-r）+Tr

Tj：igbt模塊的結溫

Tr：NTC的溫度

P：igbt模塊損耗

Rth（j-r）：igbt模塊芯片和NTC間的熱阻

從這一公式能夠得出，要測算igbt模塊的結溫，就要先清楚igbt模塊芯片和NTC間的熱阻。

以上就是傳承電子對怎樣檢測igbt模塊的結溫的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。

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