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1、方法

igbt模塊是強電流、高電壓使用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于完成1個較高的擊穿電壓BVDSS要1個源漏通道，而這一通道卻具備很高的電阻率，因此導致功率MOSFET具備RDS(on)數值高的特性，igbt模塊有著了現有功率MOSFET的這些主要缺陷。盡管最新一代功率MOSFET器件極大幅度改善了RDS(on)特性，但在高電平時，功率導通耗損依然要比igbt模塊技術超出很多。較低的壓降，轉變成1個低VCE(sat)的能力，及其igbt模塊的結構，同一標準雙極器件相比，可支持更高一些電流密度，并簡單化igbt模塊驅動器的原理圖。
2、導通

igbt模塊硅片的構造與功率MOSFET的構造非常相近，主要差別是igbt模塊提升了P+基片和1個N+緩沖層(NPT-非穿通-igbt模塊工藝沒提升這一部分)。如等效電路圖所顯示(圖1)，當中1個MOSFET驅動2個雙極器件。基片的用在管體的P+和N+區間建立了1個J1結。當正柵偏壓使柵極下邊反演P基區時，1個N溝道生成，與此同時產生1個電子流，并完全依照功率MOSFET的形式產生一股電流。倘若這一電子流產生的電壓在0.7V范疇內，那麼，J1將位于順向偏壓，一些空穴引入N-區內，并調節陰陽極間的電阻率，這個形式減低了功率導通的總耗損，并啟動了第2個電荷流。最終的結論是，在半導體層級內臨時產生2種不一樣的電流拓撲：1個電子流(MOSFET電流)；空穴電流(雙極)。

3、斷開

當在柵極提升1個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒空穴引入N-區內。在任意情況下，倘若MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸減低，這是由于換向開始后，在N層內還存有少部分的載流子(少子)。這個殘存電流值(尾流)的減低，完全取決于斷開時電荷的密度，而密度又與幾個要素相關，如摻雜質的數量和拓撲，層級厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有明顯性尾流波型，集電極電流造成下列情況：功耗升高；交叉導通情況，尤其是在用續流二極管的機器上，情況更為突出。

考慮到尾流與少子的重組相關，尾流的電流值應與芯片的溫度、IC和VCE息息相關的空穴移動性有緊密的關聯。為此，按照所做到的溫度，減低這個作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是有效的。

以上就是傳承電子對igbt模塊原理的介紹，傳承電子是一家以電力電子為專業領域的功率半導體模塊制造商，為眾多的企業公司提供功率半導體模塊的定制、生產和加工，同時還給眾多公司提供來料代工或貼牌加工業務。主要產品為各種封裝形式的絕緣式和非絕緣式功率半導體模塊、各種標準和非標準的功率半導體模塊等。